針對美國商務(wù)部工業(yè)和安全局5月15日公布之最新規(guī)范對晶圓代工產(chǎn)業(yè)的影響，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新分析指出，雖然目前相關(guān)法規(guī)仍有進(jìn)一步解釋的空間，但從已知規(guī)范來看，在5月15日后若要額外增加投片，皆需要經(jīng)過核準(zhǔn)。加上美國對于華為或其他中國品牌的規(guī)范力道不排除將持續(xù)增強，因此對于晶圓代工廠的后續(xù)影響可能不容樂觀。 根據(jù)集邦咨詢調(diào)查，目前海思在臺積電投片占比約兩成左右，主要為16/12nm（含）以下先進(jìn)制程，其中16/12nm產(chǎn)品以5G基站相關(guān)芯片為主，另有中端4G智能手機SoC- Kirin 710（海思今年已有小量Kirin710轉(zhuǎn)投片至中芯國際14nm制程）。 以中芯國際產(chǎn)能來看，14nm目前主要生產(chǎn)海思Kirin 710，2020年第二季每月產(chǎn)能平均約5K。雖然近日中芯國際旗下中芯南方獲得中國國家集成電路基金II（大基金二期）及上海集成電路基金II投資約22.5億美元，并宣布中芯國際產(chǎn)能將以增加至每月35K為目標(biāo)，相較原先規(guī)劃2020年底15K的產(chǎn)能增加約20K，但集邦咨詢認(rèn)為，考量中芯國際14nm良率還未有效改善，現(xiàn)階段對海思而言，在16nm（含）以下先進(jìn)制程臺積電的地位仍難取代。 兩大芯片代工伙伴皆受限，寬限期過后可能沖擊華為終端產(chǎn)品生產(chǎn) 若臺積電在短期內(nèi)未獲得美方許可，且海思后續(xù)產(chǎn)品持續(xù)被禁止投片，在寬限期120天過后，可能導(dǎo)致臺積電第三季16/12nm以下先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率受到明顯沖擊。即使市場預(yù)期AMD、NVIDIA及聯(lián)發(fā)科等強勁的5G、HPC需求將持續(xù)挹注7nm投片，但集邦咨詢認(rèn)為仍難以完全補足海思的缺口。 綜上所述，限制使用美國設(shè)備生產(chǎn)華為（海思）芯片短期內(nèi)將對臺積電造成不小的影響。而且規(guī)范并未指明針對臺積電，因此同樣使用美國設(shè)備制造半導(dǎo)體芯片的中芯國際，甚至其他半導(dǎo)體晶圓代工廠都將同樣受到出貨限制。